【摘 要】
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在实际生长过程中,控制硅棒表面温度在1050℃±20℃的范围内,测定了生长过程中直径在Φ25mm~Φ130mm时所对应的电压U和电流I值。在此基础上,计算了多晶硅的电阻率σ约为0
【机 构】
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新疆东方希望新能源有限公司,江苏双良新能源装备有限公司,四川郫都区知识产权局
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在实际生长过程中,控制硅棒表面温度在1050℃±20℃的范围内,测定了生长过程中直径在Φ25mm~Φ130mm时所对应的电压U和电流I值。在此基础上,计算了多晶硅的电阻率σ约为0.00905Ω.cm。同时通过数据分析与拟合,对文献中σ-T曲线在≥700℃范围内进行了公式推导,发现当温度升高到杂质饱和电离温度后,σ与1/T成线性关系,并计算了1050℃时的电阻率为0.00973Ω.cm,与实测值相对误差仅6.99%,结果可供还原炉UI曲线设计时参考。
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