半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律

来源 :第九届全国高功率微波会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ivyliucn

【摘要】

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采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+ SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N+区扩散深度、有效横截面积、外电路参数等.模拟结果表明:随着N+区扩散

【作者】

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王古森王洪广戚玉佳李永东

【机构】

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电子物理与器件教育部重点实验室(西安交通大学),西安710049

【出处】

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第九届全国高功率微波会议

【发表日期】

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2013年10期

【关键词】

：

半导体断路开关脉冲宽度数值模拟参数优化

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采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+ SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N+区扩散深度、有效横截面积、外电路参数等.模拟结果表明:随着N+区扩散深度、有效横截面积的增加和外电路电阻的增大,输出脉冲的宽度减小.通过参数优化,获得了脉宽约为4ns的输出脉冲.

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