【摘 要】
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制备了赤霉素(GA3)分子印迹传感器,建立了基于共振能量转移原理增强Ru(bpy)3Cl2电化学发光(ECL)信号超灵敏测定GA3的方法.在玻碳电极表面滴涂掺杂Au的g-C3N4材料(g-C3N4/Au),
【机 构】
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桂林理工大学化学与生物工程学院,广西电磁化学功能物质重点实验室,桂林541004
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制备了赤霉素(GA3)分子印迹传感器,建立了基于共振能量转移原理增强Ru(bpy)3Cl2电化学发光(ECL)信号超灵敏测定GA3的方法.在玻碳电极表面滴涂掺杂Au的g-C3N4材料(g-C3N4/Au),进一步电化学聚合邻苯二胺,得到分子印迹聚合物(MIP)膜,采用甲醇-乙酸洗脱液洗脱后,得到可特异性识别GA3的空穴.以Ru(bpy)32+为探针,g-C3N4/Au为能量供体,利用二者间共振能量转移增强Ru(bpy)32+的ECL强度.同时,ECL共振能量转移与分子印迹技术结合,提高传感器的选择性.随着样品中GA3浓度增加,分子印迹空穴与GA3重新结合,导致ECL强度逐渐降低.此传感器检测GA3的线性范围为4.0×10-14～7.0×10-11 mol/L,检出限为1.64×10-14 mol/L.将此传感器用于啤酒中GA3检测,回收率为95.7％ ～103.7％.
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