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本文报道了平面结构正面进光高速ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ平面ＰＩＮ光电二极管（使用Ｓｉ－ＩｎＰ衬底）。该器件具有高的稳定性（在１５０℃下经１４４０小时高温老化后，暗电流无变化），大带宽（１５ＧＨｚ），高响应度（在１．３μｍ波长下，响应度为０．９４Ａ／Ｗ）。
This paper reports the planar front-side GaInAs / InP planar PIN photodiode (using Si-InP substrate). The device has high stability (no change in dark current after aging at 150 ° C for 1440 hours), high bandwidth (15GHz), high responsivity (responsivity of 0.94 A / W at 1.3 μm wavelength ).