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InAs/GaSbII型超晶格材料理论上性能优于HgCdTe、InSb等红外探测材料，基于成熟的III-V族化合物材料与器件工艺，使得II型超晶格材料容易满足均匀大面阵、双色或多色集成等红外探测器的要求，因而InAs/GaSbII型超晶格材料将逐步替代HgCdTe、InSb等材料成为第三代红外探测器的首选材料。本文阐述了InAs/GaSb超晶格红外探测器的基本原理、以及材料生长和器件结构，并对其研究进展进行了综述性介绍。