论文部分内容阅读
采用离子束溅射技术在不同Ar^＋能量下溅射Ge单层膜。用Raman光谱和AFM图谱对薄膜进行表征，得到Ge薄膜结晶性和晶粒大小随Ar^＋能量变化的波动性关系。在0．6keV的Ar^＋能量下，得到晶粒较小的Ge晶化薄膜，0．8keV能量下，Ge薄膜为非晶结构，1．0keV能量下，得到晶粒较大的Ge晶化薄膜。通过对沉积原子数与沉积原子能量的分析，解释了这一波动性变化。