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本文简述了硅功率微波单片集成放大器的电路设计、工艺制作和电路性能。该电路工作频率为50～500MHz,1dB压缩点输出功率P_(-1)≥500mW,功率增益G_P=13～15dB,增益平坦度△G_P=±1dB,驻波比1:2。
硅功率微波单片集成电路
【摘 要】
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本文简述了硅功率微波单片集成放大器的电路设计、工艺制作和电路性能。该电路工作频率为50～500MHz,1dB压缩点输出功率P_(-1)≥500mW,功率增益G_P=13～15dB,增益平坦度△G_P=
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1990年2期
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