Cu-W复合电沉积工艺和镀层电弧侵蚀性能研究

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在纯铜表面利用复合电沉积的方法形成Cu—W复合镀层,使其满足电触头材料使用性能。研究了镀液中W的质量浓度、阴极电流密度、搅拌强度和温度工艺参数对Cu-W复合镀层中微粒含量的影响,并对Cu—W电接触材料的电弧侵蚀性能进行了分析。结果表明:在最佳的复合电沉积工艺下,Cu—W的复合沉积量质量分数在17%-23%;Cu—W电接触材料在电流〈20A条件下,材料由阴极向阳极转移,电流〉20A条件下,材料的转移方向相反;电弧侵蚀后Cu—W电接触材料的表面呈现凸起、凹坑和气孔等形貌特征。
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