InSb纳米晶体的生长和吸收光谱的研究

来源 :原子与分子物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cjc013

【摘要】

：

采用在惰性气体中蒸发的方法获得了沉积在ZnS基片上的InSb纳米晶体,其平均尺寸随惰性气体的压强增加而增大.从实验测量的室温吸收谱上看到,当纳米晶体的平均直径从27.9 nm减

【作者】

：

何焰蓝孙全

【机构】

：

国防科学技术大学理学院

【出处】

：

原子与分子物理学报

【发表日期】

：

2007年1期

【关键词】

：

InSb纳米晶体吸收光谱量子尺寸效应 InSb nanoerystals absorption spectrum quantum-size effect

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采用在惰性气体中蒸发的方法获得了沉积在ZnS基片上的InSb纳米晶体,其平均尺寸随惰性气体的压强增加而增大.从实验测量的室温吸收谱上看到,当纳米晶体的平均直径从27.9 nm减小到24.2 nm再到21.4 nm时,其吸收边分别向高能方向移动了0.0151 eV和0.0145 eV.用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动,将理论计算与实验结果进行了比较.

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