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将工业纯铝抛光后进行He离子注入,注入剂量为3×1020m-2,注入能量为500keV。利用SRIM软件模拟预测得离子注入后He原子在距表面1.8μm处浓度最高。将He离子注入样品,在190℃时效192h,促进氦泡的形成和长大,用透射电子显微镜观测样品深度方向上氦泡的分布。结果显示,距表面约1.8μm处氦泡密度最大,说明He原子浓度最高,与SRIM软件模拟预测结果一致。同时发现,晶界处氦泡的尺寸较晶粒内的大,说明晶界有利于氦泡的形成和长大;晶界两侧不同晶粒内氦泡尺寸有较大差异,可能是因为晶粒取向