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采用化学浴沉积技术,以三氯化锑和硫代硫酸钠为起始原料,在前驱液pH=3、沉积温度60℃,沉积时间10 h条件下成功制备了Sb2S3薄膜。采用X射线衍射技术表征薄膜相结构,采用扫描电镜表征薄膜微观形貌,采用能谱分析薄膜的化学元素组成。研究结果表明:沉积制备的Sb2S3薄膜结晶良好且纯度较高,在基板表面以球层状模式生长。文章同时探讨了Sb2S3薄膜生长机理。