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电阻耦合单电子晶体管电学性能分析
电阻耦合单电子晶体管电学性能分析
来源 :上海交通大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lmnlmnbalance
【摘 要】
:
基于单电子系统半径经典模型,分析了电阻耦合单电子晶体管的电学特性,得到其电学性能不随背景电荷分布变化的特点,通过时域特性分析,指出了时延参数τ=C∑Rg,并用Monte-Carlo法对其
【作 者】
:
杨涛
蒋建飞
蔡琪玉
【机 构】
:
上海交通大学微米/纳米科学技术研究院
【出 处】
:
上海交通大学学报
【发表日期】
:
2002年6期
【关键词】
:
电学性能
单电子晶体管
电阻耦合
时域特性分析
背景电荷
时延参数
singleelectron transistor(SET)
resistively co
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基于单电子系统半径经典模型,分析了电阻耦合单电子晶体管的电学特性,得到其电学性能不随背景电荷分布变化的特点,通过时域特性分析,指出了时延参数τ=C∑Rg,并用Monte-Carlo法对其构成的反相器进行了模拟验证。
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