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室温下在５０ｋＶ电压的ＭＥＶＶＡ离子源中用不同剂量的银离子注入到单晶６Ｈａ－ＳｉＣ中，对未注入和注入的ＳｉＣ样品进行了显微硬度和压坑的扫描电子显微镜观察，并研究了其拉曼谱、卢瑟福背散射谱和Ｘ光电子能谱等。硬度、拉曼谱和ＳＥＭ试验综合说明Ａｇ＋注入使ＳｉＣ晶体由脆性状态转变成韧性状态，在ＳｉＣ样品上已形成一层非晶态层，非晶态形成的最低剂量约为１０１４－１０１５Ａｇ＋／ｃｍ２。注入５×１０１６Ａｇ＋／ｃｍ２的Ａｇ３ｄ５／２峰的ＸＰＳ谱说明在ＳｉＣ的注入层中，Ａｇ以金属状态存在。根据ＭＥＶＶＡ离子源产生多电荷态银离子的特点，讨论了本实验研究的结果，并与文献的结果进行了比较。