【摘 要】
：
采用严格耦合波方法研究了普通棱镜耦合的表面波传感器与光栅辅助的表面波传感器的传感特性.设计了工作在1550 nm处的一维光子晶体与光栅的材料参数与结构参数.光栅的深度为2
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所集成电子国家重点实验室,北京,100083
论文部分内容阅读
采用严格耦合波方法研究了普通棱镜耦合的表面波传感器与光栅辅助的表面波传感器的传感特性.设计了工作在1550 nm处的一维光子晶体与光栅的材料参数与结构参数.光栅的深度为20 nm,周期为524.6 nm,占空比为0.5.模拟计算表明,光栅的引入导致双共振峰的出现,表面波的模式出现分裂.当外界折射率变化时,两个共振峰向相反的方向移动.利用双共振峰的这种特性进行传感,可以使光栅辅助表面波传感器的角度灵敏度提高到普通棱镜结构表面波传感器的3倍以上.
其他文献
在无测量状态下，对三量子位纠错电路进行设计和优化，提出模块化概念设计和优化量子纠错电路。随着量子位的增加，三量子位纠错电路作为模块可用于五量子位纠错电路中，五量子位纠错
Ⅲ—Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义，然而，对于键合界面的电学性质仍然研究较少。采用热电子发射理论，基于界面态能级在禁带中连续分布的假设，根
基于三个二粒子纠缠态作为量子信道，提出了一种类型的未知三粒子GHZ态或其正交态的概率克隆方案。该方案中，当量子信道是最大纠缠态时，通过普通的量子隐形传输过程，Bob（态的接收者
采用脉冲激光沉积法在倾斜SrTO3（100）衬底上制备出高质量的Sr2FeMoO6薄膜，观察到薄膜在可见、红外波段的脉冲激光照射下具有很大的激光感生热电势效应（LITV）。研究表明，用1064nm和5
为使输出波长为373．7／370．6nm的Ca^＋复合激光能达到实际应用的水平，对Ca^＋复合激光放电管温度场进行了分析，通过求解热流耗散泊松方程，获得了Ca^＋复合激光放电管气体温度场径向分布的
应用多光子非线性Compton散射模型，对Compton散射下的三阶色散对超短光孤子脉冲自频移的影响进行了研究，结果表明，Compton散射使三阶色散对孤子自频移有较强的抑制作用，在时域中
用全量子理论方法，研究弱克尔介质好腔中Bell态原子与纠缠相干态光场相互作用系统的保真度。结果表明，对理想腔，若原子初始处于相干保持态，腔场初态的平均光子数很小，保真度始终等
红外非线性晶体材料CdSe具有透光波段宽广，吸收系数低等优点，在中长波尤其是8-12μm红外波段的频率转换方面有广阔的应用前景，目前已引起国外众多科研机构的极大重视。采用高温
采用线性组合算符和幺正变换方法，研究了半导体量子阱中强耦合磁极化子的性质。推导出了无限深量子阱中强耦合磁极化子的振动频率、基态能量和自陷能随回旋共振频率及阱宽的变
采用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和X射线光电子能谱（XPS）测试方法对4H—SiC上热氧化生长的氧化硅（SiOx）薄膜表面形貌进行观测，并分析研究SiOx薄膜和SiOx／4H-SiC界面的相关