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端接配体原子的电负性对磁耦合作用的影响
端接配体原子的电负性对磁耦合作用的影响
来源 :化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiezuoyaoxiezuoyao
【摘 要】
:
应用微扰理论,分析了端接配体原子的电负性对体系磁耦合作用的影响.研究表明,随着端接配体原子电负性的增大,磁中心间的耦合作用减弱.应用密度泛函理论和对称性破损方法对双
【作 者】
:
胡海泉
陈志达
刘成卜
【机 构】
:
北京大学化学与分子工程学院稀土材料化学及应用国家重点实验室,北京大学化学与分子工程学院稀土材料化学及应用国家重点实验室,山东大学理论化学研究所
【出 处】
:
化学学报
【发表日期】
:
2002年10期
【关键词】
:
端接配体原子
电负性
磁耦合
密度泛函
对称性破损近似
微扰理论
分子基铁磁体
双核铜配合物
terminal ligand
electronegativit
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应用微扰理论,分析了端接配体原子的电负性对体系磁耦合作用的影响.研究表明,随着端接配体原子电负性的增大,磁中心间的耦合作用减弱.应用密度泛函理论和对称性破损方法对双核铜(Ⅱ)模型体系进行了计算,计算结果验证了上述结论.
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