论文部分内容阅读
通过分析带隙电压基准源的PSR，发现运放的PSR为1时，基准电压将具有很高的PSR。基于该思想，在带隙电压基准源中引入PSR提高电路，实现一种低功耗、低温度系数、高电源抑制能力的带隙电压基准源。该带隙电压基准源采用TSMC0．6μm、两层POLY、两层金属的CMOS工艺实现，芯片面积为0．0528mm^2。测试结果表明：其最大工作电流为9μA；在2～5V工作电压下温度系数为15×10^-8／℃；线调整率为50μV／V；100kHz的PSR为-70dB。仿真与测试结果验证了该方法的有效性。