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摘要使用CF1／Ar高密度感应耦合等离子体（ICP）对磁控溅射法制得的铌酸锌铋（BZN）薄膜进行了干法刻蚀工艺研究。分析了BZN薄膜的刻蚀速率随工艺气体流量比、总流量和工作压强的改变而出现极大值的原因，展示了BZN薄膜的刻蚀速率随ICP功率的增大而线性增加的趋势。研究结果表明，使用CF4／Ar感应耦合等离子体对BZN薄膜进行刻蚀的机理为物理辅助的化学反应刻蚀。BZN薄膜的最佳刻蚀工艺参数为CF1／Ar流量比a／2、总流量25sccm、工作压强1．33Pa、ICP功率800W，使用此参数对BZN薄膜进行刻蚀