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采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极P＋阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益口的影响，通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理，并且通过实验测试结果进一步验证了分析结论的正确性。其中，n型缓冲层掺杂剂量对电流增益口的影响最为明显，漂移区长度的影响最弱。基本完成了对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益口主要工艺影响因素的定性分析，对于SOI-LIGBT的设计有一定的借鉴意义。