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提出超晶格(AlAs/GaAs)和应变超晶格(Ge．Sii-x/Si，In．Ga1-xAs/GaAs)光伏效应的机理，测量了不同温度下的光伏谱，光伏曲线反映了台阶二维状态密度分布并观察到跃迁峰．计算了导带和价带子带的位置和带宽，根据宇称守恒确定光跃迁选择定则，对跃迁峰进行指认．研究了光伏随温度变化、激子谱峰半高宽随温度和阱宽的变化，讨论谱峰展宽机制中的声子关联，混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响．测量了元素和化合物半导体单晶材料的室温、低温下的表面光电压谱，推导了有关计算公式，计算得出电学参数(L、n0、μ、S、W)、深能级和表面能级位置、带隙和化合物组分；分析了电学参数的温度关系；由双能级复合理论，研究了少子扩散长度与深能级关系，计算了深能级浓度和参数．在不同条件下研制了二氧化锡/多孔硅/硅(SnO2/Ps/Si)和二氧化锡/硅(SnO2/Si)，测量了它们的光伏谱，分析表明它们存在着异质结．当样品吸附还原性气体(H2、CO、液化石油气)时，光电压有明显变化，因此可做为一种新的敏感元件．分析了它们的吸附机理，计算了有关参数．