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大功率IGBT过压与过热的分析计算及其对策
大功率IGBT过压与过热的分析计算及其对策
来源 :电力电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yaodmangrady
【摘 要】
:
结合150kVA超导线圈和锂电池-电容组合式SVG-APF的研制工作,首先剖析了IGBT的内部结构,详细讨论了杂散电感引起的过电压以及对容性母线的设计,最后分析了IGBT通态损耗和开关
【作 者】
:
陆广香
沈国荣
陈泉
陆子见
【机 构】
:
东南大学,国电自动化研究院,南瑞集团公司
【出 处】
:
电力电子技术
【发表日期】
:
2006年2期
【关键词】
:
电力半导体器件/绝缘栅双极晶体管
半导体特性
超导线圈
vower semiconduetor/IGBT: semiconductor characterrst
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结合150kVA超导线圈和锂电池-电容组合式SVG-APF的研制工作,首先剖析了IGBT的内部结构,详细讨论了杂散电感引起的过电压以及对容性母线的设计,最后分析了IGBT通态损耗和开关损耗引起的过热问题,给出了计算实例和实验结果.
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