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采用离子束溅射法,在单晶Si(100)基片上制备CNx薄膜.研究了基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响.结果表明:随着基片温度的提高,薄膜生长致密,表面光滑;薄膜硬度逐渐提高,但温度升高到200℃后,硬度增加缓慢.同时,基片温度升高使薄膜中的N含量增加,促进C-N化合物结晶.X射线衍射结果证明在850℃时,薄膜中产生α-C3N4晶相.