【摘 要】
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讨论一款基于SiGe BiCMOS工艺工作速率为10Gb/s激光驱动芯片的设计.该激光驱动芯片包括输入缓冲、驱动放大电路和输出级电路3个部分.输入缓冲、驱动放大电路采用电流模电路,
【基金项目】
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The National High Technology Research and Develop- ment Program of China（863 Program） （ No. 2006AA01Z284）.
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讨论一款基于SiGe BiCMOS工艺工作速率为10Gb/s激光驱动芯片的设计.该激光驱动芯片包括输入缓冲、驱动放大电路和输出级电路3个部分.输入缓冲、驱动放大电路采用电流模电路,满足高速数据传输和放大的能力,输出级电路结构采用新型的MOS-HBT共源共栅结构可以降低米勒效应减小输入电容,从而使激光驱动芯片工作在10Gb/s时也能达到良好的性能.主电路电源电压为3.3V,输出级电路供电电压为5.5V,确保激光器有足够的电压摆幅.芯片总面积（包括焊盘）为600μm×800μm,,测试表明当输入10
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