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研究了一种基于InGaAs/InP多量子阱的全光偏振开关,讨论了相空间填充（PSF）效应引起的激子饱和以及光学非线性,计算了在抽运光下的阱中载流子布居数随时间的变化,推导出了探测光偏振态的主轴瞬态旋转角.计算结果表明,在100 pJ飞秒脉冲抽运下该全光开关理论旋转角最大可达60°.
基于InGaAs/InP多量子阱的全光偏振开关的研究
【摘 要】
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研究了一种基于InGaAs/InP多量子阱的全光偏振开关,讨论了相空间填充（PSF）效应引起的激子饱和以及光学非线性,计算了在抽运光下的阱中载流子布居数随时间的变化,推导出了探测光
【机 构】
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华中科技大学光电子工程系
【出 处】
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光学与光电技术
【发表日期】
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2006年3期
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