锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究

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本文研究了SiGe/Si量子阱中近带边跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的近带边光跃迁给出了一个物理模型,用此模型计算了光过偶极矩,给出跃迁偶极矩的上限,提出了未掺杂SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的一种跃迁机制,认为是Ge原子周围波函数畸变的集体行为,用MBE方法生长了掺杂SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到近带边光跃迁。
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