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利用电子束蒸镀方法，在K8玻璃衬底上沉积ZnO掺杂ITO（ZnO—ITO）与ITO薄膜。研究不同退火温度对ZnO—ITO薄膜的微观结构的影响；对比分析了在不同退火温度条件下，ZnO—ITO和无掺杂ITO薄膜的光电性能。结果发现，ZnO—ITO薄膜具有较大的晶粒尺寸，随着退火温度的上升，晶体结构得到改善，表面粗糙度减小，薄膜的光电性能显著提高。ZnO—ITO薄膜经过500℃退火后得到最佳的综合性能，其表面均方根粗糙度（RMS）为32．52nm，电阻率为1．43×10^-4Ω·cm；对44