硅的凸角补偿尺寸及腐蚀中避免削角的新方法

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wanfan001

【摘要】

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在硅的腐蚀过程中,如果不对台面凸角加以补偿,会产生严重的削角现象.本文采用在凸角上补偿正方形掩膜的方法,通过实验得出要在TMAH腐蚀液中将厚度约为300μm的硅片腐蚀出完整

【作者】

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张丹郑志霞冯勇建

【机构】

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厦门大学机电工程系,厦门大学萨本栋微机电研究中心

【出处】

：

微纳电子技术

【发表日期】

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2004年8期

【关键词】

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凸角补偿腐蚀削角现象 convex corner compensation etching corner undercutting

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在硅的腐蚀过程中,如果不对台面凸角加以补偿,会产生严重的削角现象.本文采用在凸角上补偿正方形掩膜的方法,通过实验得出要在TMAH腐蚀液中将厚度约为300μm的硅片腐蚀出完整的台面凸角结构需要补偿多大尺寸的正方形掩膜.硅片与玻璃键合后,由于硅晶格的变化使得与玻璃键合的那一层硅很难腐蚀掉,本文也介绍了一种缩短腐蚀时间、避免削角的方法.

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