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对采用So1-Gel法制备的钇掺杂锆钛酸铅铁电薄膜的电性能进行了研究.实验结果表明,由于钇离子(Y3+)的引入造成晶格畸变,使掺钇后的PZT铁电薄膜比未掺钇时具有更大的剩余极化强度、更小的矫顽场和漏电流.此外,钇掺杂锆钛酸铅铁电薄膜具有良好的介电性能,在室温和10 kHz频率下,其介电常数和介电损耗分别为437和0.043.