【摘 要】
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用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的三代树状碳硅烷(D3)液晶,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS)、红外、紫外、偏光显微镜
【机 构】
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山东大学化学化工学院,山东师范大学测试中心,中国科学院长春应用化学研究所
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用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的三代树状碳硅烷(D3)液晶,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS)、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)表征,D3为向列相与M5相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D3相行为:K79N126I116N,D3熔点比M5降低33℃,D3清亮点比M5增加2℃,D3液晶态温区比M5加宽35℃.
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