超长六角多型纳米SiC晶须的光学性质

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xrzs011

【摘要】

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采用改进的PECVD技术首次制备出六角多型SiC纳米晶须.高分辨率电镜观察其直径在18～50 nm之间,长度为0.3μm～6mm.Raman光谱表明它是六角多型(4H)纳米SiC晶须.紫外光激发出现高强

【作者】

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张洪涛陈坤 Lemmer U Bastian G

【机构】

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湖北工业大学电气与电子工程学院通信工程系,CollegeofElectronicsandInformationTechnology

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2006年z1期

【关键词】

：

纳米晶须六角多型SiC 光学性质量子光学

【基金项目】

：

湖北省教育厅重大项目(批准号:2001Z01007),湖北工业大学博士科研启动基金,湖北省教育厅重点项目(批准号:I200614002),湖北省教育厅国际交流合作项目(批准号:鄂教外2006[5]),教育部重点科技项目(批准号:教育部206095)和教育部留学回国人员科研启动基金资助项目

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采用改进的PECVD技术首次制备出六角多型SiC纳米晶须.高分辨率电镜观察其直径在18～50 nm之间,长度为0.3μm～6mm.Raman光谱表明它是六角多型(4H)纳米SiC晶须.紫外光激发出现高强度蓝光发射.同时在550～620 nm和700～750 nm处分别出现两宽带发射,经计算其中蓝光发射带,4H-SiC带隙为3.98eV,这一发光现象与量子力学计算结果不符,说明了SiC晶须光学性质的特殊性.

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