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采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术,在不同条件下,在透明导电衬底SnO2:In2O)3(IIO)及Si(111)单晶衬底上沉积了非晶WOx薄膜采用X射线衍射(ⅪD)、Rmman光谱(RS)、Fourier红外光谱(FT-IR)及透射电镜扫描附件(STEM)对在不同条件下沉积及不同温度退火处理的样品进行了结构分析.结果表明:氧气氛和衬底温度是决定薄膜结构和成分的主要参数采用三斜相的WO3靶材,在100℃及20 Pa氧压下沉积,经300℃以上退火处理,在Si(111)及IIO衬底上得到了二斜相的纳米晶WO3