氮气中C-Si系材料的高温变化过程

来源 :武汉科技大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：yc332612

【摘要】

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以9组不同配料比的炭黑和单质硅为原料压制成试样，在氮气气氛下，分别于1350，1400，1450，1500，1550℃下烧结，获得5个不同温度点合成样品；采用XRD分析技术研究试样的物相演变过程，研究C-S

【作者】

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邓承继祝洪喜易成雄白晨石生德

【机构】

：

武汉科技大学耐火材料与高温陶瓷国家重点实验室培育基地,武汉钢铁（集团）公司硅钢厂

【出处】

：

武汉科技大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2008年3期

【关键词】

：

C-Si系原料氮气气氛合成 C Si system materials nitrogen atmosphere synthesis

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以9组不同配料比的炭黑和单质硅为原料压制成试样，在氮气气氛下，分别于1350，1400，1450，1500，1550℃下烧结，获得5个不同温度点合成样品；采用XRD分析技术研究试样的物相演变过程，研究C-Si系原料在氮气气氛合成过程中的物相变化和反应动力学机制。试验结果表明：试样在氮气气氛下合成，最终物相为SiC，α-Si3N4和β-Si3N4，硅含量高时还存在Si2N2O相，石英相和方石英相作为中间产物出现；氮化硅不仅可由单质硅氮化生成，还可由SiO2，Si2N2O与C还原氮化生成，Si3N4先于β-S

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