【摘 要】
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设计了一种250 V高动态阻抗恒流器件,通过在外延层中刻蚀填充氧化槽,形成体内横向沟道结构,提升恒流器件动态阻抗,使器件具有优异的恒流特性。利用MEDICI仿真软件对器件的外
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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设计了一种250 V高动态阻抗恒流器件,通过在外延层中刻蚀填充氧化槽,形成体内横向沟道结构,提升恒流器件动态阻抗,使器件具有优异的恒流特性。利用MEDICI仿真软件对器件的外延层厚度和浓度、氧化槽深度、调沟注入剂量及栅氧厚度等参数进行模拟仿真,探究各参数对器件特性的影响。最终设计得到的恒流器件击穿电压为300 V,夹断电压约3.5 V,恒流工作区间为5~250 V,在20 V条件下动态阻抗达到189 MΩ·μm,相较于传统恒流器件提升十几倍以上。建立解析模型后采用混合仿真模式对典型LED驱动电路
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