论文部分内容阅读
研究在离子束条件下硅基底上淀积金属薄膜及其界面结构在退火条件下金属硅化物的形成和变化特点,即15keV的Ar+在IBAD条件下直接生成Cu15Si4相.IBAD复合薄膜样品在退火前无新相生成,而退火后形成ε相,不同于通常Cu-Si退火反应生成ε相的相序.研究证明在Cu-Si界面退火反应系统中,ε相的成核是得到稳定相结构的关键.