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阐明了化学机械抛光（CMP）工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用，介绍了作为IC多层布线层间介质SiO2的化学机械抛光机理及其抛光液在化学机械抛光中扮演的重要角色，着重分析了影响SiO2介质化学机械抛光质量的主要因素并在此基础上提出CMP工艺的优化工艺条件以及今后SiO2介质CMP研究重点。
ULSI电路层间SiO2介质CMP工艺与抛光液
【摘 要】
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阐明了化学机械抛光（CMP）工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用，介绍了作为IC多层布线层间介质SiO2的化学机械抛光机理及其抛光液在化学机械抛光中扮演的重要角色，着重分析了影
【机 构】
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河北工业大学微电子所
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2006年11期
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