【摘 要】
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采用密度泛函理论（DFT）B3LYP/6-31G方法,对设计的6个不同位置取代氨基的香豆素衍生物的几何构型进行优化。在所得优化结构基础上对这些分子的稳态二阶NLO系数β值进行计算分析,
【机 构】
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海军航空工程学院,中国科学院烟台海岸带研究所,南京师范大学化学与环境科学学院
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采用密度泛函理论（DFT）B3LYP/6-31G方法,对设计的6个不同位置取代氨基的香豆素衍生物的几何构型进行优化。在所得优化结构基础上对这些分子的稳态二阶NLO系数β值进行计算分析,并采用含时密度泛函理论（TD-DFT）方法计算了其电子性质,研究了取代位置对香豆素类衍生物分子的二阶NLO性质的影响规律。结果表明：当氨基取代在4号位时香豆素分子中的羰基表现出供电性,对分子内电荷转移非常不利,不利于提高分子的β值;当氨基取代在3、5、6、7、8位时分子中的羰基表现出吸电性,使分子形成D-π-A构型,并且氨基
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