【摘 要】
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文章对Φ52mm×1.8mm薄园片锗单晶的电阻率进行测试,通过引入锗园片的厚度修正系数和直径修正系数,得到锗园片中心电阻率是23.51Ω.cm,园片边缘为27.16Ω.cm,不均匀性15.53%,
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文章对Φ52mm×1.8mm薄园片锗单晶的电阻率进行测试,通过引入锗园片的厚度修正系数和直径修正系数,得到锗园片中心电阻率是23.51Ω.cm,园片边缘为27.16Ω.cm,不均匀性15.53%,提高了电阻率测定的准确性。
The resistivity of Φ52mm × 1.8mm thin-wafer germanium single crystal was tested. By introducing the thickness correction coefficient and diameter correction coefficient of germanium wafer, the center resistivity of germanium wafer was 23.51Ω.cm and the edge of wafer was 27.16 Ω.cm, non-uniformity of 15.53%, improve the accuracy of resistivity measurement.
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