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掺铊碘化铯(CsI(Tl))闪烁薄膜因其具有连续致密的微晶柱结构而被广泛应用。该文采用真空热蒸镀方法在单晶硅(Si)衬底和多晶铂硅(Pt/Si)衬底上制备不同厚度的CsI(Tl)薄膜,研究不同衬底上薄膜厚度增加过程中微晶柱结构中出现的裂纹形貌。不同厚度的CsI(Tl)薄膜制备工艺条件相同。通过X射线衍射图谱(XRD)和扫描电子显微照片(SEM)表征CsI(Tl)薄膜的结晶质量和微晶柱结构形貌,研究不同衬底上CsI(Tl)薄膜的微晶柱结构在生长过程中发生的变化。建立CsI(Tl)薄膜的微结构模型研究单晶薄膜中晶面间距对薄膜微晶柱结构的影响。