高场应力对隧道氧化层电特性的影响

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jimmyhill

【摘要】

：

详细研究了Ｎ＾＋埋层－隧道氧化层－多晶硅电容和Ｐ型衬底－隧道氧化层－多晶硅电容在高场应力下的高频Ｃ－Ｖ特性和Ｉ－Ｖ特性的漂移，以及两种电容在隧道氧化层中陷阱电荷的产生现象。

【作者】

：

于宗光

【机构】

：

华晶集团中央研究所

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

1999年3期

【关键词】

：

隧道氧化层陷阱电荷 MOS 高场应力 Tunnel oxideHigh fieldTrapped chargesStress

【基金项目】

：

江苏省青年科技基金

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