【摘 要】
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LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术，该技术很好地改善了沟道电场分布，避免了在器件漏端的强场效应，在可靠性方面明显地提高器件及电路的热载流子寿命．然而，LDD结
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LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术，该技术很好地改善了沟道电场分布，避免了在器件漏端的强场效应，在可靠性方面明显地提高器件及电路的热载流子寿命．然而，LDD结构的抗ESD的能力却大大降低了．文中通过实验和分析，研究了在ESD过程中，LDDgg—nMOS器件的Snapback对器件潜在损伤的影响。尤其对热载流子效应的影响．
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