【摘 要】
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陶瓷电击穿问题涉及热、光、电多场耦合效应,一直是非平衡物理学研究的重点和热点.本工作在不同烧结温度下制备了晶粒尺寸大小不同的氧化锌陶瓷,采用脉冲高压发生装置对陶瓷
【机 构】
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全球能源互联网研究院有限公司 电工新材料研究所,先进输电技术国家重点实验室,北京 102211;西南科技大学 材料科学与工程学院,绵阳,621000;中国工程物理研究院 流体物理研究所,冲击波物理与爆
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陶瓷电击穿问题涉及热、光、电多场耦合效应,一直是非平衡物理学研究的重点和热点.本工作在不同烧结温度下制备了晶粒尺寸大小不同的氧化锌陶瓷,采用脉冲高压发生装置对陶瓷进行击穿实验,通过对陶瓷击穿过程的分析和对比,研究了ZnO陶瓷体击穿的时间步骤.结果显示,不同晶粒大小的陶瓷击穿过程均在7μs之内,典型的压降曲线分为三个阶段.第一个阶段对应于材料中的气孔击穿和击穿通道初步形成;第二阶段对应于晶界击穿;第三个阶段是导电通道的完全形成.研究数据显示,晶粒击穿过程的持续时间最长,晶界次之,气孔的击穿时间最短.不同烧结温度下,样品晶界和晶粒的击穿时间以及气孔的击穿速度均存在差异.
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