3UCVD SiGe工艺的神经网络模型

来源 :真空科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：haoaini0413

【摘要】

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介绍了用于生长SiGe材料的3UCVD设备的简要情况.对3UCVD工艺系统构建了神经网络模型;基于误差反向传播(BP)学习算法设计了一种自动调整网络结构和训练精度的网络训练方法;利

【作者】

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李培咸孙建诚胡辉勇

【机构】

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西安电子科技大学微电子研究所

【出处】

：

真空科学与技术

【发表日期】

：

2002年1期

【关键词】

：

SIGE 深紫外光能辅助化学气相淀积神经网络 3UCVD 工艺预测真空技术生长工艺锗化硅材料 SiGe 3UCVD Neural network Fit

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介绍了用于生长SiGe材料的3UCVD设备的简要情况.对3UCVD工艺系统构建了神经网络模型;基于误差反向传播(BP)学习算法设计了一种自动调整网络结构和训练精度的网络训练方法;利用3UCVD工艺实验的数据样本编制程序,对数据样本进行了训练拟合;并利用训练后的网络进行了工艺预测,网络预测的结果和实验结果符合良好.

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