【摘 要】
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利用密度泛函理论研究了γ-Mo2N（100）表面上的噻吩加氢脱硫（HDS）过程.噻吩在γ-Mo2N（100）表面上不同作用形式的结构优化结果显示,η5-Mo2N吸附构型最稳定,具有最大的吸附能（-0.56 eV
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利用密度泛函理论研究了γ-Mo2N（100）表面上的噻吩加氢脱硫（HDS）过程.噻吩在γ-Mo2N（100）表面上不同作用形式的结构优化结果显示,η5-Mo2N吸附构型最稳定,具有最大的吸附能（-0.56 eV）,此时噻吩通过S原子与Mo2原子相连平行表面吸附在四重空位（hcp位）.H原子和噻吩在hcp位发生稳定共吸附,hcp位是噻吩HDS的活性位点.噻吩在γ-Mo2N（100）表面进行直接脱硫反应,HDS过程分为S原子脱除和C4产物加氢饱和两部分.过渡态搜索确定了HDS最可能的反应机理及中间产物,首个H
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