【摘 要】
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采用微波等离子体化学气相沉积（microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD）技术系统地研究了GaN的分解机制。结果表明微波等离子体富氢环境促进了GaN的分解反应,分解
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采用微波等离子体化学气相沉积（microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD）技术系统地研究了GaN的分解机制。结果表明微波等离子体富氢环境促进了GaN的分解反应,分解过程由表面缺陷开始,向侧面扩展,最后沿氮极性面进行;氢等离子体中通入少量氮气能够显著抑制GaN的分解,在此基础上采用两步生长法成功实现在GaN上纳米金刚石膜的直接沉积。
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