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提出了MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法.通过在MOS C-t瞬态曲线上读取n个不同时刻的电容值,确定出相应的少子产生寿命值.该方法基于最小二乘法原理,可有效地消除测量误差的影响,其精度随读取点的增加而提高,特别适合于少子产生寿命的计算机辅助测量.
适用于少子产生寿命CAM的线性电压扫描法
【摘 要】
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提出了MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法.通过在MOS C-t瞬态曲线上读取n个不同时刻的电容值,确定出相应的少子产生寿命值.该方法基于最小二乘法原理,可
【机 构】
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浙江大学信息与电子工程学系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2004年3期
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