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在10MPa、60min的工艺条件下，分别添加5μm、20μm的Ni箔或5μm的Ti箔为中间层，采用三种工艺方案对10μm纯Mo箔和20μm、60μm纯Al箔进行真空扩散连接。方案一：在550℃下加Ni箔中间层的直接扩散连接；方案二：先在900℃进行No-Ni扩散连接，然后在450～550℃进行Mo／Ni与Al的连接；方案三：550℃下加Ti箔中间层的直接扩散连接。利用扫描电镜（SEM）观察接头界面形貌，并对结合机理和相组成进行分析。结果表明，方案一的焊合率仅为3％。方案二实现了界面良好连接，焊合率达到8