第三代宽禁带半导体(SiC)器件在空间太阳能电站中的应用及进展

来源 :第二届空间太阳能电站发展技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yu555497

【摘要】

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第三代宽禁带半导体(SiC、GaN)器件以其固有的大功率、耐高温及恶劣环境、抗辐照等特点,在替代传统的Si基器件方面具有无与伦比的技术优势.文章概述了第三代半导体(SiC)器件

【作者】

：

张宝林[1] 唐林江[2] 陈滔[2] 万成安[2]

【机构】

：

北京卫星制造厂,北京100094;天津大学,天津300072北京卫星制造厂,北京100094

【出处】

：

第二届空间太阳能电站发展技术研讨会

【发表日期】

：

2017年10期

【关键词】

：

空间太阳能电站第三代宽禁带半导体器件性能表征

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第三代宽禁带半导体(SiC、GaN)器件以其固有的大功率、耐高温及恶劣环境、抗辐照等特点,在替代传统的Si基器件方面具有无与伦比的技术优势.文章概述了第三代半导体(SiC)器件的发展现状,介绍了国内外第三代宽禁带半导体(SiC)器件研究进展及应用情况,并展望了第三代宽禁带半导体器件在空间太阳能电站中的应用前景.

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