【摘 要】
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采用固相烧结工艺制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3半导体陶瓷元件,其阻温特性具有独特的NTCR和PTCR复合效应,陶瓷室温电阻率及居里点以下的NTCR效应随着烧结温度的升高而提高,适当过
【机 构】
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新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室清华大学材料科学与工程系
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采用固相烧结工艺制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3半导体陶瓷元件,其阻温特性具有独特的NTCR和PTCR复合效应,陶瓷室温电阻率及居里点以下的NTCR效应随着烧结温度的升高而提高,适当过量PbO则能降低陶瓷室温电阻率及其NTCR效应.利用XRD、SEM和EDS分别对样品的相结构、形貌及成份分布等进行分析,结果显示晶界中的Sr,Ti含量相对较高,而Pb含量相对较低,材料的阻温特性明显受其影响.铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现NTCR效应的主要原因之一,同时探讨了Y3+离子掺杂(Sr,P
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