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典型的磁性隧道结是“三明治”结构，即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时，隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿磁电阻（TMR）以来，非晶势垒的A10。磁性隧道结在磁性随机存储器（MRAM）和磁硬盘磁读头（ReadHead）中得到了广泛的应用，2007年室温下其磁电阻比值可达到80％。下一代高速、低功耗、高性能的自旋电子学器件的发展，迫切需要更高的室温TMR比值和新型的调制结构。2001年通过第一性原理