【摘 要】
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采用射频反应溅射法于室温下在Cu/Ti/SiO2/Si基底上制备了氧化钒薄膜.X-射线衍射、X射线光电子能谱分析仪及原子力显微镜结果表明,室温下制备的氧化钒薄膜除微弱的V2O5(101)
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院; 天津理工大学电子信息工程学院,天津市薄膜电子与通信器件重点实验室;
【基金项目】
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国家自然基金(批准号:61274113,11204212);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-11-1064);国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61101055);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20100032120029);天津市科技计划重点项目(批准号:10SYSYJC27700)资助的课题~~
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采用射频反应溅射法于室温下在Cu/Ti/SiO2/Si基底上制备了氧化钒薄膜.X-射线衍射、X射线光电子能谱分析仪及原子力显微镜结果表明,室温下制备的氧化钒薄膜除微弱的V2O5(101)和V2O3(110)峰外,没有明显的结晶取向,是VO2,V2O5,V2O3及VO的混合相薄膜,且薄膜表面颗粒大小均匀,表面均方根粗糙度约为1nm.采用半导体参数分析仪对薄膜的电开关特性进行测试.结果表明薄膜具有较低的开关电压(VSet<1V,VReset<0.5V),并且具有稳定的可逆开关特性.薄膜从低阻态转变为高阻态的电流(IReset)随限流的增大而增大.通过高低阻态时I-V对数曲线的拟合(高阻态斜率>1,低阻态斜率=1),认为Cu离子在薄膜中扩散形成的导电细丝是该体系发生电阻转变的主要机制.
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