【摘 要】
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采用内匹配技术,使用两枚GaN HEMT晶体管,在X波段8.0～ 8.5 GHz频段内,设计并实现了一种高可靠性、高功率附加效率的功率放大器.基于南京电子器件研究所提供的晶体管及负载牵引
【机 构】
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南京理工大学电光学院,南京210094;南京电子器件研究所,南京210016
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采用内匹配技术,使用两枚GaN HEMT晶体管,在X波段8.0～ 8.5 GHz频段内,设计并实现了一种高可靠性、高功率附加效率的功率放大器.基于南京电子器件研究所提供的晶体管及负载牵引数据,并结合“L-C-L”匹配网络以及威尔金森功率分配/合成器,对晶体管的输入和输出阻抗进行了相应匹配,使得其端口阻抗均为50 Ω.最终通过两胞合成的方式实现了在目标频段内,栅电压-2.2 V、漏电压24V,连续波工作状态下,所设计功率放大器输出功率高于20 W、功率增益大于10 dB、功率的附加效率大于49.7％.其中,在8.1～8.4 GHz,该功率放大器功率附加效率超过52％,优于我国现有相近频段内匹配功率放大器的功率附加效率,并通过实验验证了该设计方案的可靠性.
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